Mextram

通用BJT模型
Level 504的新改进

Mextram 504版是503版的升级版,具有以下特性:

  • 包括自热,允许动态计算器件温度。自热计算只需使用解析导数,减少模拟次数(无需计算数值导数)
  • 对SiGe建模可使用一组专门的经审核的参数,使参数提取过程更加容易
  • 新添加了两个固定叠加电容
  • 一阶和高阶导数经过平滑处理,以提供更好的精确性和收敛能力

Mextram

带有平滑参数AXI的截止频率演化

 

Mextram

正向直流特性

成熟的BJT模型

Mextram拥有Gummel-Poon模型所没有的特性:

  • 偏压尔利(Early)效应
  • 高注入效应
  • 外延层欧姆电阻
  • 外延层电阻的速度饱和效应
  • 硬化饱和和准饱和效应,包括柯克( Kirk )效应
  • 分裂基极集电极和基极发射极消耗电容
  • 衬底效应和寄生PNP
  • 电流拥挤效应和基极电阻的导电性调节
  • 在本征基极(高频电流拥挤和超和相移)中的分布式高频效应的一阶逼近
  • 基区复合效应(针对SiGe晶体管)
  • 分级带隙的尔利(Early)效应(针对SiGe晶体管)
  • 温度定标(temperature scaling)
  • 自热
SILVACO 功能实现
  • Mextram与VZERO和 BYPASS选项兼容,以实现更快的仿真速度
  • 内部警告和诊断会提供有价值的信息,以帮助发现收敛问题
  • 用户友好参数检查:会让用户知道每一个剪辑参数
  • 器件内部变量(电流,电导,电荷...)可以像任何其他参数一样被访问
  • Mextram模型是SmartLib独立产品模型库中的一款。可以在SmartSpice中以level 503和level 504被访问
高级应用

Mextram的第二个版本非常适用于高级技术:

  • 先进工艺,如双层多晶硅或硅锗建模。
  • Mextram也可用于高电压大功率应用。
  • 在Mextram中可正常运行诸如在LDMOS技术中仿真NPN器件的类似罕见情况