HICUM

高速BJT模型
对速度要求极高的模型

HICUM所考虑到的主要效应 :

  • 高电流效应
  • 针对外部基极集电极的分布式高频模型
  • 发射极边缘注入及相关电荷储存
  • 发射极电流集边效应
  • 二维和三维集电极电流蔓延
  • 位于基极-发射极与基极-集电极之间的寄生(偏压相关)电容
  • 针对转移电流和少数电荷的垂直非准静态效应
  • 温度相关性和自热效应
  • 在基极集电极结的弱累崩击穿
  • 位于基射结的击穿
  • 寄生衬底晶体管
  • 发生在异质结双极结晶体管(HBT)的带隙的差异
  • 横向伸缩性
 

HICUM

直流特性 Ic=f(Vce)

HICUM

在不同偏压条件下,跨导 gm=dIc/dVbe



HICUM

截止频率与偏压条件

高级应用

HICUM为设计界提供了一个强大的致力于高速应用的模型。这一模式由德国鲁尔大学M.Schroter教授开发,并已开发出侧重于高电流密度的晶体管的操作区域。模型中所用的表达式包括短晶体管效应,这些短晶体管发射极的长度接近于宽度 。

SILVACO功能实现
  • HICUM与VZERO选项兼容,以实现高速仿真性能
  • 用户友好参数检查:能让用户知道每一个省略参数
  • 器件内部变量(电流、电导、电荷...)可以像任何其他参数一样很容易被调用
  • HICUM模型是SmartLib™独立产品模型库中的一款。它可以在SmartSpice™中以level 6被调用
  • SmartSpice的实现由模型开发者利用参考仿真器及器件得以证实